직무 · 삼성전자 / 반도체설계
안녕하세요! 4학년 진학예정인 화학공학과 학생입니다. 현재 메모리 공정설계(소자) 직무의 지원동기를 준비하고 있습니다. 10나노 6세대~10나노 7세대 DRAM을 지원동기로 잡고 준비하고 있는데, 해당 단에서의 주요 소자 설계/공정 과제가 무엇인지 모르겠습니다. DRAM의 발전 방향이 3D화/HKMG의 적용이라는 것은 알고 있는데, 구체적으로 어떠한 문제(해결과제, 어려움)가 소자 설계/수율개선을 어렵게 하는 것인지 잘 모르겠어서 질문드립니다!
2025.02.18
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안녕하세요 저는 반도체 분야 취업을 희망하는 3학년 2학기 재학생입니다. 이번 4학년 겨울방학에 반도체 관련 스펙을 쌓고 싶은데, 실습, 인턴 등의 기회를 어디서 잡아야 하는지 모르겠습니다. 좋은 경험이나 스펙이 될 수 있는 기관이나 반도체 관련 교육, 실무경험을 쌓을 수 있는 방법을 알려주시면 감사하겠습니다!
지금 3학년 2학기이고 반도체 회로설계분야 전공하고 있습니다. 상위권은 아니지만 중위권은 되는 학교이고 학점은 4.4입니다. 방학때 프로젝트로 암호화 알고리즘 하드웨어 가속기 만들어서 논문도 작성했고, RISC-V CPU설계도 했으며 이번 방학때에는 NPU 설계해볼 예정입니다. 요즘 취업상황이 안좋은걸로 알고있는데 대학원을 진학하는게 맞을지 IDEC이나 ETRI 교육을 듣고 취업을 하는게 맞을지 고민이 되어 글 남깁니다. 또 KIST에 약 10년간 인턴으로 가서 연구하는 것도 제안받았는데 이걸 선택하는게 맞을지.. 잘 모르겠네요
안녕하세요. 이번 하반기 공채에서 메모리사업부 평가및분석 직무에 지원하려고합니다. 직무경험을 작성하는 4번문항의 구성을 판단해주시면 감사하겠습니다. DRAM Controller & DMA RTL 설계 ACT–RD/WR–PRE 시퀀스, Refresh 제어 구현, 버스트 전송과 데이터 흐름 제어 경험 =>DRAM을 내부 동작과 시스템 관점에서 이해-> 불량을 조건별 Signature로 정의,정밀한 테스트 패턴,System-Level 분석할 수 있는 강점 반도체소자공정실험 칩 제작 후 I–V 특성측정-> 공정 편차가 문턱전압 이동과 전류 불균일성으로 이어지는것 확인-> 설계와 실리콘 간 간극 체감, 불량을 회로뿐 아니라 공정 요인까지 고려해 Root Cause를 규명하는 시각 Full-Custom Layout RC Delay, 기생 Capacitance 등 물리적 제약이 회로 동작에 미치는 영향 경험-> 불량을 물리적 요인과 연관지어 해석 역량 +반도체테스트프로그래밍 수강 내용
안녕하세요 저는 반도체 분야 취업을 희망하는 3학년 2학기 재학생입니다. 이번 4학년 겨울방학에 반도체 관련 스펙을 쌓고 싶은데, 실습, 인턴 등의 기회를 어디서 잡아야 하는지 모르겠습니다. 좋은 경험이나 스펙이 될 수 있는 기관이나 반도체 관련 교육, 실무경험을 쌓을 수 있는 방법을 알려주시면 감사하겠습니다!
지금 3학년 2학기이고 반도체 회로설계분야 전공하고 있습니다. 상위권은 아니지만 중위권은 되는 학교이고 학점은 4.4입니다. 방학때 프로젝트로 암호화 알고리즘 하드웨어 가속기 만들어서 논문도 작성했고, RISC-V CPU설계도 했으며 이번 방학때에는 NPU 설계해볼 예정입니다. 요즘 취업상황이 안좋은걸로 알고있는데 대학원을 진학하는게 맞을지 IDEC이나 ETRI 교육을 듣고 취업을 하는게 맞을지 고민이 되어 글 남깁니다. 또 KIST에 약 10년간 인턴으로 가서 연구하는 것도 제안받았는데 이걸 선택하는게 맞을지.. 잘 모르겠네요
안녕하세요. 이번 하반기 공채에서 메모리사업부 평가및분석 직무에 지원하려고합니다. 직무경험을 작성하는 4번문항의 구성을 판단해주시면 감사하겠습니다. DRAM Controller & DMA RTL 설계 ACT–RD/WR–PRE 시퀀스, Refresh 제어 구현, 버스트 전송과 데이터 흐름 제어 경험 =>DRAM을 내부 동작과 시스템 관점에서 이해-> 불량을 조건별 Signature로 정의,정밀한 테스트 패턴,System-Level 분석할 수 있는 강점 반도체소자공정실험 칩 제작 후 I–V 특성측정-> 공정 편차가 문턱전압 이동과 전류 불균일성으로 이어지는것 확인-> 설계와 실리콘 간 간극 체감, 불량을 회로뿐 아니라 공정 요인까지 고려해 Root Cause를 규명하는 시각 Full-Custom Layout RC Delay, 기생 Capacitance 등 물리적 제약이 회로 동작에 미치는 영향 경험-> 불량을 물리적 요인과 연관지어 해석 역량 +반도체테스트프로그래밍 수강 내용
답변 6
채택된 답변지원자님, 안녕하세요~! 메모리 공정설계(소자) 직무 지원을 준비하고 계시군요! 10나노급 DRAM 공정에서의 주요 과제와 난관을 고민하시는 모습이 정말 인상적이에요~! 10나노급 DRAM, 특히 6세대7세대에서는 공정 미세화로 인해 여러 난제가 발생합니다! 먼저, 셀 캐패시터(Capacitor) 설계의 어려움이 있어요! 노드가 작아질수록 저장할 수 있는 전하량이 줄어드는데, 이를 해결하기 위해 고유전율(HKMG) 재료 적용이 필수적이지만, HKMG가 도입되면서 공정 조건 최적화와 누설 전류 문제가 더욱 복잡해지는 과제가 생깁니다~! 또한, FinFET이 아닌 Planar 구조 유지로 인한 셀 트랜지스터 특성 확보 문제도 큰 도전 과제예요! DRAM은 고집적이 필수인데, Planar 구조에서 소스/드레인 간 전류 누설과 채널 제어 문제가 더욱 심화되죠~! 이걸 해결하기 위해 고유전 게이트 절연막(HKMG)과 저저항 소스/드레인 재료 도입이 진행되고 있지만, 이에 따른 공정 복잡성이 급격히 증가하고 있어요~! 수율 측면에서도 공정 변동성(Process Variation)에 따른 특성 균일화가 정말 중요한 이슈예요~! 노드가 작아질수록 포토 리소그래피 해상도 한계, 식각 균일성 문제, 레이아웃 종속성(Layout-Dependent Effects) 문제 등이 커지면서, 미세한 변동이 수율에 치명적인 영향을 미칠 수 있어요! 이를 해결하기 위해 공정 제어 기술(DFM, OPC)과 공정 시뮬레이션 기반 최적화가 필수적입니다~! 결국, 고유전율 재료 도입, 셀 트랜지스터 성능 최적화, 공정 균일성 확보라는 세 가지 핵심 과제가 현재 10나노급 DRAM 소자 설계에서 중요한 이슈라고 볼 수 있어요! 지원동기를 작성하실 때, 이 부분을 염두에 두고 "어떤 문제를 해결하는 데 기여하고 싶은지"를 풀어나가시면 더욱 설득력 있는 내용이 될 거예요~! 준비 잘하셔서 좋은 결과 얻으시길 바랍니다~~! 응원합니다~! 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~!
댓글 1
2025.02.18
답변해주셔서 감사합니다!
